物理的蒸気堆積（PVD）： このプロセスには、蒸発またはスパッタリングによる基質に材料を物理的に堆積させることが含まれます。たとえば、金属膜は熱蒸発によって堆積することができます。そこでは、金属が蒸発するまで加熱され、基質に凝縮します。
電気堆積： このプロセスには、電気化学反応による基質への材料の堆積が含まれます。たとえば、銅は硫酸銅溶液に基質を浸し、基質と銅電極の間に電圧を塗ることによって電気堆積できます。
分子ビームエピタキシー（MBE）： このプロセスには、個々の原子層の連続的な堆積による単結晶薄膜の成長が含まれます。たとえば、Gallium harsenide（GAAS）は、マリウムとヒ素原子の層を基質に交互に堆積させることにより、MBEによって成長することができます。
原子層堆積（ALD）： このプロセスには、前駆ガスのパルスを交互に行うことにより、個々の原子層の連続的な堆積が含まれます。たとえば、酸化アルミニウム（AL2O3）は、トリメチルアルミニウム（TMA）と水（H2O）ガスのパルスを交互に挿入することにより、ALDによって堆積することができます。
