その理由は次のとおりです。
* 電気陰性の差: シリコン(SI)と水素(H)は、同様の電気陰性度値を持っています(SI:1.90、H:2.20)。 電気陰性度の違いは非常に小さく、Si-H結合の電子は2つの原子間でほぼ等しく共有されます。
* 対称性: SIH4の四面体の形状により、結合双極子(電気陰性度の違いにより非常に小さい)が互いにキャンセルされることが保証されます。
したがって、各Si-H結合は技術的にわずかに極性ですが、個々の結合の対称性と最小極性のため、全体の分子は非極性です。
その理由は次のとおりです。
* 電気陰性の差: シリコン(SI)と水素(H)は、同様の電気陰性度値を持っています(SI:1.90、H:2.20)。 電気陰性度の違いは非常に小さく、Si-H結合の電子は2つの原子間でほぼ等しく共有されます。
* 対称性: SIH4の四面体の形状により、結合双極子(電気陰性度の違いにより非常に小さい)が互いにキャンセルされることが保証されます。
したがって、各Si-H結合は技術的にわずかに極性ですが、個々の結合の対称性と最小極性のため、全体の分子は非極性です。