その理由は次のとおりです。
* 絶縁特性： 半導体には、比較的小さなエネルギーギャップによって、電子バンド（電子が通常見られる）が伝導帯（電子が自由に移動できる）から分離されているバンド構造を持っています。低温または低電界下では、原子価帯域の電子は伝導帯にジャンプするのに十分なエネルギーを欠いており、材料を絶縁体のように振る舞います。
* 導入プロパティ： より高い温度またはより高い電界の下でさらされると、電子はエネルギーギャップを越えて伝導帯に入るのに十分なエネルギーを獲得します。これにより、電子が自由に動くことができ、材料を導体のように振る舞わせます。
半導体の例：
*シリコン（SI）
*ゲルマニウム（ge）
*アルセニドガリウム（GAAS）
半導体は現代の電子機器で重要であり、トランジスタ、統合回路、太陽電池、およびその他の多くの技術の基礎を形成しています。
