その理由は次のとおりです。
* 価電子： ガリウムには3つの価電子があり、ヒ素には5つあります。
* イオン結合： ガリウムは、3つの原子価電子を失い、+3陽イオン（ga³⁺）を形成する傾向があります。ヒ素は3つの電子を獲得して-3アニオン（as³⁻）を形成する傾向があります。
* 中性化合物： イオンの電荷はバランスを取り、式GAASとの中性化合物をもたらします。
したがって、ガリウムとヒ素によって形成された化合物は、さまざまな電子機器で使用される半導体材料であるアルセニドガリウム（GAAS）です。
