* 電子構成： ホウ素は電子構成1S²2S²2p¹を持ち、ベリリウムには構成1S²2S²があります。ホウ素の2p電子は、2S電子によって核から保護されているため、除去が容易になります。対照的に、ベリリウムの2S電子は、シールドがないため、核によってよりしっかりと保持されています。
* 浸透効果： ホウ素の2P軌道は、ベリリウムの2S軌道よりもエネルギーが高くなっています。これは、ホウ素の2p電子が内側のコア電子によってあまり効果的ではないことを意味し、核に対するより弱い魅力を経験することを意味します。
* サブシェル充填： ホウ素は最も外側のPサブシェルに1つの電子しかありませんが、ベリリウムには2秒のサブシェルが満たされています。これは、ホウ素の2P電子がベリリウムの2S電子と比較して電子電子反発が少なくなり、除去が容易であることを意味します。
要約すると、ベリリウムと比較したホウ素の最初のイオン化エネルギーの低下は、シールドによる2P電子の核に対する弱い引力と、それが経験するより少ない電子電子反発の組み合わせに起因する可能性があります。
