$$ r_h =\ frac {1} {ne} $$
ここで、nは電子濃度です。 Pタイプのゲルマニウムの場合、ホール係数は以下によって与えられます。
$$ r_h =- \ frac {1} {pe} $$
ここで、pは穴濃度です。
ホール係数を使用して、半導体のタイプ(N型またはPタイプ)、キャリア濃度、および電荷キャリアの可動性を決定できます。
$$ r_h =\ frac {1} {ne} $$
ここで、nは電子濃度です。 Pタイプのゲルマニウムの場合、ホール係数は以下によって与えられます。
$$ r_h =- \ frac {1} {pe} $$
ここで、pは穴濃度です。
ホール係数を使用して、半導体のタイプ(N型またはPタイプ)、キャリア濃度、および電荷キャリアの可動性を決定できます。