* 半導体のタイプ： 固有の半導体（純粋なシリコンやゲルマニウムなど）は、室温での遊離電子の数が非常に少ないです。 外因性半導体（不純物がドープされている）は、ドーパントの種類と濃度に応じて、はるかに多くの遊離電子を持っています。
* 温度： 温度が上昇すると、より多くの電子が結合から解放されるのに十分なエネルギーを獲得し、遊離電子の数を増やします。
* ドーピング： 半導体結晶構造に不純物（ドーパント）を追加すると、遊離電子または穴の数（電子空室）が大幅に増加する可能性があります。
* 電界： 電界を適用すると、電子が漂流し、半導体のさまざまな部分の濃度を変更する可能性があります。
したがって、特定の材料、温度、ドーピング、およびその他の条件に関する詳細情報なしに、半導体の自由電子に特定の数値を与えることは不可能です。
これがそれについて考えるための簡略化された方法です：
* 固有半導体： 熱励起のために、小さいが有限の自由電子の数があります。
* n-type半導体： 電子を寄付するドナーの不純物の存在により、はるかに多くの遊離電子があります。
* p-type半導体： 電子を受け入れるアクセプター不純物の存在により、より多くの穴（電子空孔）があります。
特定の半導体の自由電子の数を計算するには、上記の要因を考慮して、より複雑なモデルを使用する必要があります。
