* サイズと電気陰性度： シリコンは炭素よりも大きく、電気陰性が少ない。これは、その原子価電子が核からさらに離れており、それほどしっかりと保持されていないことを意味します。より小さく、より電気陰性である酸素は、電子をそれ自体に引き寄せ、シリコンが二重結合で電子を共有することをより困難にします。
* π結合： 二重結合には、シグマ結合とPI結合の形成が含まれます。 PI結合は、p軌道の横向きの重複によって形成されます。シリコンには原子半径が大きく、そのp軌道は強力なπ結合を形成するのにあまり効果的ではありません。
* d-oRVITALの参加： シリコンには空のD軌道がありますが、エネルギーレベルが高いため、結合に容易に入手できません。いくつかの理論は、π結合へのD軌道の関与を示唆していますが、一般に他の要因と比較してそれほど重要ではないと考えられています。
結果：
* 二酸化シリコン（SIO2）： 二酸化シリコンは、シリコンと酸素の間に単一結合を持つ強力な共有ネットワーク構造を形成します。このネットワーク構造は、二酸化シリコンに高融点と硬度を与えます。
* シリコーン： 酸素と二重結合を形成する代わりに、シリコンは酸素との単一結合を形成し、有機群と結合します。これにより、シリコーンが形成されます。シリコーンは、独自の特性により、幅広いアプリケーションで使用されます。
要約すると、シリコンのサイズ、電気陰性度、および安定したπ結合の形成の困難さの組み合わせにより、酸素と二重結合を形成することができません。
