1。ドーピング：
* 不純物の追加： これは最も一般的で効果的な方法です。半導体材料よりも多くまたは少ない価電子を持つ不純物（ドーパント）を導入することにより、 n-type を作成できます または p-type 半導体。
* n-type： より多くの価電子（シリコンからシリコンへのリンなど）で元素を追加すると、余分な自由電子が生成され、導電率が向上します。
* p-type： より少ない価電子電子（ホウ素からシリコンなど）の要素を追加すると、正電荷キャリアとして機能する「穴」が作成され、導電率も向上します。
2。温度：
* 温度の上昇： 熱エネルギーは、原子価帯域から伝導帯に電子を励起し、より多くの自由電荷キャリアを作成することができます。 この効果は重要ですが、非常に高温ではあまり顕著になりません。
3。光：
* 光への露出： 一部の半導体では、光からの光子は電子を励起するのに十分なエネルギーを持ち、電子穴のペアを作成し、導電率を増加させることができます。これが光伝導性の基礎です。
4。電界：
* 強力な電界の適用： 導電率を改善するための主要な方法ではありませんが、強力な電界は既存の自由電荷キャリアを加速し、電流の流れを増加させることができます。この効果は、主に半導体特性の研究に使用されます。
覚えておいてください： 特定の方法とその有効性は、固有の材料と望ましいレベルの導電率に依存します。
