1S²2S²2P⁶3S²3P⁶3D¹⁰4S²
それを分解する方法は次のとおりです。
* 1S²： 最初のエネルギーレベル（n =1）には、2つの電子を保持できる1つのサブシェル、Sサブシェルがあります。
* 2S²2P⁶： 2番目のエネルギーレベル（n =2）には、Sサブシェル（2電子）とPサブシェル（6電子）の2つのサブシェルがあります。
* 3S²3P⁶3D¹⁰： 3番目のエネルギーレベル（n =3）には、Sサブシェル（2電子）、Pサブシェル（6電子）、Dサブシェル（10電子）の3つのサブシェルがあります。
* 4S²： 4番目のエネルギーレベル（n =4）には、Sサブシェル（2電子）の1つのサブシェルがあります。
重要な注意： 3Dサブシェルは、エネルギーレベルの点で4Sサブシェルの後に埋められますが、電子構成の3Dサブシェルの前に4Sサブシェルをリストすることは慣習です。これは、4Sサブシェルが最初に入力されたためです。
