電子構成：
* ベリリウム（be）： [彼]2S²
* boron（b）： [彼]2S²2p¹
重要な要因：
* 電子構成： ホウ素は2p軌道に1つの電子を持ち、ベリリウムには2S軌道に2つの電子があります。
* シールド： ホウ素の2p電子は、ベリリウムの2S電子と比較して、内側の電子（2s電子）によってより効果的に核からシールドされています。これは、2P軌道のエネルギーレベルが高いためであり、核から遠く離れているためです。
* 浸透： ホウ素の2P軌道は、ベリリウムの2S軌道よりもわずかに大きく、核への浸透が少ない。これは、2p電子が核によって緊密に保持されないことを意味します。
結果：
効果的なシールドと2p電子の浸透が少ないため、ベリリウムから2S電子を除去するのに比べて、この電子をホウ素から除去する方が簡単です。これにより、ホウ素のイオン化エネルギーはベリリウムのイオンエネルギーよりも低くなります。
要約： ベリリウムと比較したホウ素の低いイオン化エネルギーは、以下に起因する可能性があります。
* ホウ素の2p電子の存在。これは、より効果的に保護され、ベリリウムの2S電子よりも核に向かって浸透しません。
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