* 電気陰性度： シリコン（SI）とフッ素（F）は、有意に異なる電気陰性度を持っています。フッ素は最も電気陰性の要素であり、シリコンは電気陰性度が低いです。この違いは、フッ素がシリコンよりも強く結合内の共有電子を引き付けることを意味します。
* 電子の共有： 一方の原子が他の原子（イオン結合）から完全に電子を採取する代わりに、シリコンとフッ素が電子を共有して、安定したオクテット構成を実現します。この電子の共有は、共有結合の特徴です。
重要な注意： 結合は共有結合ですが、シリコンとフッ素の間の電気陰性度の違いは極性共有結合を生成します 。これは、共有された電子が均等に分布していないため、フッ素原子にわずかに負の電荷とシリコン原子にわずかに正電荷をもたらすことを意味します。
