1S²2S²2P⁶3S²3P⁶4S²3D⁵
これを理解する方法は次のとおりです。
* 1S² ：最初のエネルギーレベル（n =1）には、2つの電子を保持できる1つのサブシェルがあります。
* 2S²2P⁶ ：2番目のエネルギーレベル（n =2）には、2つのサブシェル（sとp）があり、それぞれ2および6電子を保持できます。
* 3S²3p⁶ ：3番目のエネルギーレベル（n =3）には、それぞれ2つと6つの電子を保持できる2つのサブシェル（SとP）があります。
* 4S² ：4番目のエネルギーレベル（n =4）には、2つの電子を保持できる1つのサブシェルがあります。
* 3d⁵ ：3番目のエネルギーレベル（n =3）には、実際には最大10個の電子を保持できる3番目のサブシェル（d）があります。マンガンの場合、このサブシェルには5つの電子があります。
電子はエネルギーを増やす順に軌道を埋め、4S軌道はエネルギーが低いため、3D軌道の前に充填されることを忘れないでください。ただし、3Dサブシェルは4Sよりも核に近いため、3Dサブシェルの電子は核により強く引き付けられているため、除去が困難です。これが、長い電子構成の4Sの後に3Dサブシェルが表示される理由です。
