* ゲルマニウムの構造： ゲルマニウムはグループIV要素です。つまり、4つの価電子があります。純粋な形で、これらの電子は隣接するゲルマニウム原子と共有結合を形成し、結晶格子を作り出します。
* ヒ素の役割： ヒ素はグループV要素です。つまり、5つの価電子があります。ヒ素原子がゲルマニウム格子に加えられると、それらはいくつかのゲルマニウム原子を置き換えます。
* 余分な電子： ヒ素はゲルマニウムと比較して1つの余分な価電子を持っているため、この余分な電子はヒ素原子にゆるく結合し、簡単に自由になります。これらの遊離電子は、半導体の電荷キャリアになります。
* n-type： 多数の電荷キャリアは負に帯電した電子であるため、このタイプの半導体は n-type と呼ばれます 。
要約： ゲルマニウムにヒ素を追加すると、遊離電子が導入され、材料の導電率が向上し、N型半導体になります。
