* 電子構成: ホウ素の電子構成は1s²2s²2pxですが、ベリリウムには1s²2s²があります。
* シールド: 両方の要素には、核からの遮蔽を提供する同じ数の内側シェル電子(2)があります。ただし、ホウ素の2p電子は、ベリリウムの2S電子よりも核からさらに離れています。これは、ホウ素の2P電子があまり効果的でない核電荷を経験することを意味します。
* 浸透: ベリリウムの2S電子は、ホウ素の2p電子よりも核に近い浸透し、より強い引力を経験します。
したがって、ベリリウムの2s軌道から電子を除去するのと比較して、ホウ素の2p軌道から電子を除去するには、より多くのエネルギーが必要です。
要約:
* より高い有効な核電荷: ベリリウムの2S電子は核に近く、より強い引力を経験します。
* 低いシールド: ホウ素の2p電子は、内側の電子からのシールドが少ない経験を経験します。
* より大きな浸透: ベリリウムの2S電子は、核に近い浸透します。
これらの要因は、ホウ素よりもイオン化エネルギーが低いベリリウムに寄与しています。