遷移要素とPi複合体：
* d-Orbitalの可用性： 遷移金属には、不飽和分子のPIシステムを使用してPI結合に関与できる部分的に充填されたD軌道があります。これは、Pi複合体を形成する能力の重要な要素です。
* サイズと電気陰性度： 遷移金属には、一般に、d軌道とリガンドのpi軌道との間に効果的なオーバーラップを可能にする適切なイオン半径と電気陰性度値があります。
他の要素とPi複合体：
* メイングループ要素： 一部の主要なグループ要素は、PI複合体、特に不飽和リガンドのPIシステムを使用してバックボンディングに参加できる空のp軌道を持つものを形成することもできます。 例は次のとおりです。
* ボロン： ルイス酸ホウ素化合物は、アルケンとアルキンとPi複合体を形成することができます。
* アルミニウム： ホウ素と同様に、アルミニウム化合物はPi複合体を形成する可能性があります。
* シリコン： 空のD軌道を持つオルガンシリコン化合物も、Pi複合体を形成する可能性があります。
* ランタニドとアクチニド： これらの要素には、結合に参加できるF軌道と、何らかの形のpi複合体があります。
形成に影響する要因：
* リガンドタイプ： 不飽和リガンド（アルケン、アルキン、芳香環）の性質は、Pi複合体形成に不可欠です。
* 電子構成： 金属イオンの電子構成は、Pi複合体の安定性と反応性に大きな役割を果たします。
* 立体因子： リガンドと金属中心の立体需要は、Pi複合体の形成と安定性に影響を与える可能性があります。
要約： 遷移金属は、D軌道の利用可能性によりPI複合体の最も一般的な形式ですが、メイングループやランタニド/アクチニド要素を含む他の要素も、特定の状況下でこのタイプの結合に参加することができます。 Pi複合体の形成は、電子、立体、およびリガンドの特性の複雑な相互作用です。
