NpnおよびPnpトランジスタ

トランジスタは、弱い信号をシンク抵抗回路からソース抵抗回路に交換または転送する半導体です。電流や電圧などの電気信号は、それによって調整、方法化、増幅されます。

これらは、回路を流れる電流を制御できるという点でユニークです。トランジスタは、電流の流れを制御するために、2 つのリード間の電圧を調整および制御します。各トランジスタには 3 つのリードがあります。

NPN トランジスタ

バイポーラ接合トランジスタ (BJT) は、NPN トランジスタの一種です。電子は主要な電流キャリアであり、正孔は少ないキャリアです。それらの配置は、それらの間に注入された薄層材料である P 型ドープ半導体の層が、N 型ドープ半導体を分離するようなものです。

エミッタ電流 =コレクタ電流 + ベース電流

NPNトランジスタの働き

• P 型半導体の電荷担体の大部分は電子であり、エミッタ電流 IE でバッテリの正端子 VEE によって反発されます。
• 電子密度が低いため、正孔の 5% のみが電子と共にベースに到達し、ベース電流 IB が発生します。ベース電流は IB の 5% に相当します。
• 残りの 95% はコレクターに分配されます。 IC はコレクターの電流であり、IE の 95% です。
• 穴がベースの電子と結合すると、バッテリーのマイナス端子からワイヤーを通ってベースに流れる電子によって補われます。
• このトランジスタには穴があるため、電流が流れます。電子の流れにより、外部回路に電流が発生します。
• 取得した回路から、IE=IB+IC.

PNP トランジスタ

バイポーラ接合トランジスタは、PNP トランジスタとしても知られています。これらでは、正孔が主な電流源であり、電子はマイナーな役割を果たします。それらの配置は、P 型ドープ半導体材料が N 型ドープ半導体材料の薄層によって分離されるようになっています。

エミッタ電流 =コレクタ電流 + ベース電流

PNPトランジスタの働き

• N 型半導体では、電子が電荷担体の大部分を構成し、エミッタ電流 IE でバッテリの負端子 VEE によって反発されます。
• 電子密度が低くなります。電子の 5% のみが正孔とともにベースに入り、IB へのベース電流が発生します。ベース電流は IB の 5% です。
• 残りの 95% はコレクターに分配されます。コレクタ電流 IC は IE の 95% です。
• バッテリーのプラス端子からワイヤーを通ってベースまでの穴の通過は、エミッターがベースの穴と混ざったときにエミッターを補償します.
• 現在の N-P-N トランジスタと外部回路は、電子の流れによって駆動されます。
• 見つけた回路から、IC=IE–IB.

NPN トランジスタと PNP トランジスタの違い

NPN および PNP トランジスタに関する重要なポイント

• トランジスタは、電流や電圧などの電気信号を制御、編成、増幅する半導体デバイスです。
• 電子は NPN トランジスタの主要な電流キャリアであり、正孔はマイナーなものです。
• PNP トランジスタでは、正孔が電流の大部分を担い、電子は小さな役割を果たします。
• N 型エミッターは負極に接続され、P 型エミッターは順方向バイアスで同じバッテリー VEE の正極に接続され、P 型ベースはは負極に接続され、N 型エミッターは逆バイアスで同じバッテリー VCC の正極に接続されます。

結論

外部電位がその端子に印加されると、トランジスタは、(形成される接続に応じて) 導体または絶縁体として動作できる半導体材料で構築された 3 端子デバイスとして定義されます。バイポーラ ダイオードでは、2 つの異なるタイプの電荷キャリアがトランジスタの伝導を担っているため、この名前が付けられました。これは、回路のある領域から別の領域に転送される抵抗を示します。スイッチングと増幅は、その状態を変更する能力があるため、それが持つ 2 つの重要な機能です。

したがって、トランジスタは、発光ダイオードに電力を供給するなど、少量の電流を使用してより大きな電流を駆動する場合、または小さな AC 信号を増幅する場合に、スイッチとして利用できる電子デバイスとして特徴付けることができます。