多層2-D材料は、一緒に積み重ねられた原子の複数の層で構成されています。これらの層間の相互作用は、材料の電気特性に大きく影響する可能性があります。たとえば、グラフェンの層間結合は、量子井戸状態とディラックコーンの形成につながる可能性があり、これにより、独自の電子輸送現象が生じます。
多層2-D材料の現在の流れの重要な側面の1つは、層間輸送の役割です。これらの材料では、電流は各レイヤー内だけでなく、異なる層の間でも流れることができます。層間輸送は、直接トンネリング、フォノン支援トンネル、欠陥支援輸送など、さまざまなメカニズムによって媒介される可能性があります。これらの層間輸送メカニズムの理解と制御は、多層2-D材料に基づいて高性能の電子デバイスを設計するために重要です。
多層2D材料の現在の流れに影響を与えるもう1つの重要な要因は、欠陥と不純物の存在です。欠陥は、電子の散乱センターとして機能し、輸送を妨げる可能性があります。したがって、材料の電気伝導率を改善するには、欠陥と不純物を減らすことが重要です。化学蒸気堆積（CVD）や分子ビームエピタキシー（MBE）などの技術は、最小限の欠陥を持つ高品質の多層2-D材料を栽培するために一般的に使用されます。
科学者はまた、多層2-D材料の現在の流れに対するひずみと外部フィールドの影響を調査しています。ひずみは、材料の電子バンド構造と層間相互作用を変更し、電気導電率やその他の輸送特性の変化につながる可能性があります。磁場や電界などの外部場は、電流の流れに影響を与え、興味深い磁気交換スポーツと電気輸出現象を生じさせることもできます。
要約すると、科学者は、多層2-D材料で電流がどのように流れるかを積極的に調査しています。層間輸送、欠陥、ひずみ、および外部フィールドの役割を理解することにより、研究者はこれらの材料の電気特性を最適化し、次世代の電子デバイスアプリケーションの可能性を最大限に発揮することを目指しています。
