1。 Piezoresponse力顕微鏡（PFM）
* 原則： この手法は、鋭いチップを利用して、強誘電性材料の局所的な圧電反応を誘導および検出します。強誘電性ドメインによって生成された電界のため、先端の変位を測定します。
* 利点： ローカルドメイン構造に敏感な高い空間分解能。
* 制限： 表面の地形の影響を受けることができ、特殊な機器が必要です。
2。ソーヤータワーサーキット
* 原則： この回路は、強誘電体コンデンサのヒステリシスループを測定します。コンデンサに交互の電界を適用し、対応する偏光を測定します。
* 利点： シンプルで、バルク材料に広く使用されています。
* 制限： 感度が低いため薄膜には適していないため、巨視的なサンプルが必要です。
3。偏光電場（P-E）ループ測定
* 原則： ソーヤータワーサーキットに似ていますが、より高度な計装があります。高精度の電気計を使用して、強誘電体コンデンサの偏光を測定します。
* 利点： 薄膜に適したソーヤータワーサーキットよりも高い感度。
* 制限： 特殊な機器と慎重なサンプルの準備が必要です。
4。誘電分光法
* 原則： この手法は、材料の誘電率を周波数の関数として測定します。誘電率の周波数依存性を分析することにより、強誘電性特性を研究するために使用できます。
* 利点： 薄膜に適した材料の誘電特性に関する情報を提供します。
* 制限： 特殊な機器と分析が必要です。
5。第二高調波生成（SHG）
* 原則： この手法は、材料の非線形光学応答を測定します。強誘電体は、非中心的な構造のために強力なSHG信号を示します。
* 利点： 強誘電性ドメイン構造に敏感で、in situ測定に使用できます。
* 制限： 特殊な機器が必要であり、他の非線形光学プロセスの影響を受ける可能性があります。
6。 X線回折
* 原則： X線回折パターンは、強誘電性材料の結晶構造とドメイン配向を明らかにすることができます。
* 利点： 結晶構造とドメインアライメントに関する情報を提供します。
* 制限： 特殊な機器とサンプルの準備が必要です。
これらは、薄膜の強誘電性を測定するために使用される一般的な手法のほんの一部です。技術の選択は、特定のアプリケーションと望ましい情報に依存します。
