この分子ジオメトリと結合角は、価数シェル電子ペア反発（VSEPR）理論に基づいて理解できます。 Sis $ _2 $では、中央のシリコン原子（SI）は、それぞれ二重結合を介して2つの硫黄原子に結合されます。シリコンには4つの価電子があり、そのうち2つは各硫黄原子と二重結合に関与しています。これにより、シリコン原子に2つの孤立した電子ペアが残ります。
VSEPR理論によれば、中央原子の周りの電子ペアの配置は、それらの間の反発を最小限に抑えるジオメトリを採用します。 SIS $ _2 $の場合、シリコン原子の電子の2つの孤立ペアは、電子電子反発を最小限に抑えるために可能な限り離れています。これにより、約119.5度の結合角度で曲がった分子ジオメトリが生じます。
ジスルフィドシリコンの角またはV字型の分子形状は、シリコン原子の2つの孤立電子のペアと硫黄原子との二重結合に関与する電子の結合ペアの間の反発によって影響を受けます。この配置は、シリコン原子の周りの歪んだ四面体電子電子型幾何学につながり、曲がった分子構造を生み出します。
