1。半導体特性： ヒ素とゲルマニウムはどちらも半導体です。つまり、金属と非金属の間に中間の電気伝導率があります。このプロパティを使用すると、トランジスタ、太陽電池、統合回路などのさまざまな電子デバイスで使用できます。
2。結晶構造： ヒ素とゲルマニウムはどちらも、シリコンとカーボン（ダイヤモンド）に似たダイヤモンド立方体の構造で結晶化します。この構造では、各原子は4つの最も近い隣人に共有結合され、硬い四面体ネットワークを形成します。
3。ドーパント材料： ヒ素およびゲルマニウムは、半導体産業のドーパント材料として使用できます。制御された量でシリコンなどの半導体材料に追加すると、半導体の電気特性を変更して、N型（電子を寄付）またはPタイプ（電子を受け入れる）のいずれかにします。
4。合金の形成： ヒ素とゲルマニウムは、互いに、そしてシリコンなどの他の半導体と合金を形成できます。これらの合金には電気的および光学的特性が調整されており、さまざまな電子および光電子用途で有用です。
5。毒性： ヒ素とゲルマニウムは両方とも人間と環境に毒性がありますが、ヒ素の毒性は著しく高くなります。ヒ素は既知の発がん物質であり、さまざまな健康上の問題を引き起こす可能性がありますが、ゲルマニウムは一般に毒性が低いと考えられています。これらの要素を使用する場合、適切な取り扱いと安全対策が不可欠です。
これらの類似点にもかかわらず、ヒ素とゲルマニウムは、異なる原子数と電子構成のために、化学的挙動と特性に明確な違いを示します。
