1。結合強度：
* 炭素水素（C-H）および炭素塩素（C-CL）結合： これらの結合は、シリコンのカウンターパート（SI-HおよびSI-CL）よりも大幅に強いです。これは、シリコンと比較して炭素原子のサイズが小さく、軌道のオーバーラップとより強い共有結合につながるためです。
* シリコン水素（Si-H）およびシリコンクロリン（Si-Cl）結合： これらの結合は、シリコンのサイズが大きく、軌道のオーバーラップが効果的ではないため、弱くなっています。 これにより、水分子による攻撃を受けやすくなります。
2。極性と反応性：
* 炭素： C-HおよびC-CL結合は比較的非極性であるため、極水分子に対する反応性が低下します。
* シリコン： Si-HおよびSi-Cl結合は、シリコンと他の要素の間の電気陰性度の違いにより、より極性です。この極性により、水による求核攻撃を受けやすくなります。
3。立体効果：
* 炭素： 炭素原子のサイズが小さくなると、ステリックの障害が少なくなり、水分子がC-HおよびC-CL結合に近づいて攻撃することが困難になります。
* シリコン： シリコン原子のサイズが大きいほど、より立体的な障害が発生し、水分子がSi-HおよびSi-CL結合に簡単にアクセスできるようになります。
加水分解反応：
加水分解反応には、水分子の添加による結合の破壊が含まれます。たとえば、シリコン化合物の場合：
* si-cl + h2o-> si-oh + hcl
弱体化したSi-CL結合は、水による攻撃の影響を受けやすく、SI-OH（シラノール）グループとHClの形成につながります。
概要：
CH4やCCL4などの炭素化合物におけるより強い結合、極性の低下、およびより少ない立体障害の組み合わせにより、シリコンアナログと比較して加水分解により耐性があります。
