* 電気陰性の差： イオン結合は、2つの原子間で電気陰性度に大きな違いがある場合に形成されます。シリコン（SI）の電気陰性度は1.9、窒素（N）の電気陰性度は3.0です。違いは重要ですが、完全なイオン結合を作成するのに十分な大きさではありません。
* 共有キャラクター： シリコンと窒素の間の結合は、おそらく重要な共有特性を持っているでしょう。これは、ある原子から他の原子に完全に移動するのではなく、電子がある程度共有されることを意味します。
* 窒化シリコン（SI3N4）： シリコンと窒素によって形成される化合物は、窒化シリコン（SI3N4）です。この化合物は、強力で共有ネットワーク構造を備えたセラミック材料です。
要約： 電気陰性度の違いはイオン性の特性を示唆していますが、窒化シリコンの結合は主に共有結合です。
