1。 n型ドーピング：
* リン（P）： この要素には、シリコンまたはゲルマニウム以上の5つの価電子があります。リンが結晶格子に加えられると、それは余分な電子に寄与し、材料を負に帯電させます。これが、それがn型ドーピングと呼ばれる理由です。
* harsenic（as）： リンと同様に、ヒ素には5つの価電子もあり、N型ドーパントとして機能します。
* アンチモン（SB）： また、5つの価電子があり、N型ドーパントとして機能します。
2。 Pタイプドーピング：
* boron（b）： この要素には3つの価電子があり、1つはシリコンまたはゲルマニウムよりも少ない。ホウ素がクリスタル格子に加えられると、電子が欠落している「穴」が作成されます。この「穴」は、隣接する原子からの電子によって満たされ、電流の流れを効果的に可能にします。これにより、材料が積極的に充電されるため、P型ドーピングと呼ばれます。
* アルミニウム（AL）： ホウ素と同様に、アルミニウムには3つの価電子があり、P型ドーパントとして機能します。
* ガリウム（GA）： また、3つの価電子があり、P型ドーパントとして機能します。
注：
*ドーパント要素の選択は、半導体材料の目的の電気特性に依存します。
*ドーパントの濃度は、材料の導電率を制御します。
*ドーピングは、半導体デバイスの製造における重要なプロセスであり、トランジスタ、ダイオード、およびその他の電子コンポーネントの作成を可能にします。
