* 電気陰性の差： シリコン（SI）と窒素（N）の電気陰性度の違いは、イオン結合を形成するのに十分な大きさではありません。 シリコンの電気陰性度は1.9で、窒素の電気陰性度は3.0です。違いは約1.1であり、これは極性共有結合の範囲にあると考えられています。
* 構造と特性： 窒化シリコン（Si₂n₃）は、ダイヤモンドと同様に、強力な3次元ネットワーク構造を持っています。このネットワーク構造は、共有結合の特徴であるシリコンと窒素原子の間の電子の共有から生じます。その高い融点と硬度は、その共有性をさらにサポートします。
* イオンなし： si₂n₃では、イオン化合物に見られるような明確な帯電イオンを形成する電子の明確な伝達はありません。
要約すると、Si₂n₃はシリコンと窒素原子の間の電子の共有により共有化合物であり、強力なネットワーク構造をもたらします。
