* 原子構造： 窒素には、外殻に5つの電子があります。半導体であるためには、材料には、電気伝導に関与できる特定の数の原子価電子（最も外側のシェルの電子）が必要です。窒素の原子構造は、半導体の挙動に必要な必要なバンド構造の作成を許可していません。
* 導電率： その元素形態の窒素はガスです。ガスは一般に、電気の導体が貧弱であり、原子は遠く離れており、電子の動きを促進するほど強く相互作用しないためです。
ただし、窒素は半導体製造で使用できます：
* ドーピング： 窒素は、シリコン（SI）やゲルマニウム（GE）などの半導体材料のドーパントとして使用できます。ドーピングには、半導体に不純物を追加して電気伝導率を変化させることが含まれます。
* nタイプドーピング： 窒素原子をシリコンに導入すると、過剰な電子が生成され、N型半導体の挙動が生じます。
* nitrides： 窒素は、さまざまな半導体デバイスで使用される窒化シリコン（SI3N4）や窒化ガリウム（GAN）などの化合物も形成することができます。これらの化合物には独自の電子特性があり、高出力エレクトロニクスや光発光ダイオード（LED）などのアプリケーションに使用できます。
要約： 窒素自体は半導体ではありませんが、ドーパントとして作用し、ユニークな半導体特性を持つ化合物を形成することにより、半導体技術において重要な役割を果たします。
