その理由は次のとおりです。
* 酸化磁場： 酸化野は二酸化シリコン（SIO2）の層であり、アクティブなデバイス（トランジスタなど）が不要なシリコンウェーハの領域を覆っています。それはいくつかの重要な役割を果たします：
* 電気分離： デバイス間の不要な電気接続を防ぎます。
* 機械的サポート： 処理中の損傷から基礎となるシリコンを保護します。
* 不動態化： シリコンを不純物や汚染から保護します。
* 乾燥酸化： この手法では、炉内の高温（通常は900°Cから1200°C）でシリコンウェーハを酸素ガスに露出させることが含まれます。酸素は表面のシリコンと反応し、SiO2の層を形成します。
* 利点：
* 正確な制御： 乾燥酸化は、湿った酸化と比較して、酸化物層の厚さをより正確に制御することを提供します。
* 均一性： 酸化物層はより均一であり、欠陥を起こしやすくなります。
* 高品質： 欠陥が少ない高品質の酸化物層を生成します。
濡れた酸化 二酸化シリコンを栽培するためのもう1つの手法ですが、通常、酸化層の厚い層または特定の特定の用途に使用されます。
したがって、乾燥酸化は、酸化野を形成するための好ましい技術です 適切なデバイスの動作には薄く、均一で高品質の酸化物層を生成する能力があるためです。
