1。化学相互作用： 基質の化学的性質は、吸着された分子とのさまざまな種類の相互作用を引き起こす可能性があります。これらの相互作用には、共有結合、イオン結合、水素結合、ファンデルワールス力などが含まれます。基質と吸着剤の間の化学的相互作用の強度とタイプは、吸着層内の電子相互作用に大きく影響します。
2。充電転送： 基質は電子ドナーまたは受容体として作用し、基質と吸着種の間の電荷移動につながる可能性があります。この充電転送は、吸着剤内の電子電荷分布を変更し、電子特性と相互作用を変更することができます。
3。表面状態： 基質上の表面状態の存在は、フェルミレベルの近くに追加の電子エネルギーレベルを作成できます。これらの表面状態は、吸着剤の電子状態と相互作用し、電子バンド構造のハイブリダイゼーションと修正につながる可能性があります。表面状態との相互作用は、吸着分子の電子的特性と相互作用に大きく影響する可能性があります。
4。バンドの曲げ： 半導体基質と金属または分子が接触すると、バンドの曲げが発生します。これは、界面近くの半導体のエネルギー帯域の変化を指します。バンドの曲げは、電荷キャリアの輸送に影響を与え、吸着層内の電子的相互作用に影響を与える潜在的な障壁または蓄積層を作成することができます。
5。ひずみと格子の不一致： エピタキシャルの成長または薄膜の堆積の場合、基質と堆積物質の間の格子の不一致は歪みを誘発する可能性があります。ひずみは、電子バンド構造を変更し、堆積物の電子的相互作用と特性に影響を与える可能性があります。
6。表面欠陥： ステップ、キンク、空室などの表面欠陥は、電子的相互作用のためのアクティブサイトとして機能する可能性があります。これらの欠陥は、局所的な電子状態を導入したり、ローカル電子環境を変更して、吸着層内の電子的相互作用に影響を与えます。
7。磁気特性： 磁気基質は、吸着分子または材料に磁気特性を誘導できます。基質の磁気モーメントと吸着剤の間の相互作用は、吸着層内のスピン分極と磁気秩序につながる可能性があります。
8。電子構造の変更： 基質の電子構造は、吸着層内の電子的相互作用に直接影響を与える可能性があります。表面共鳴や量子井戸状態などの特定の電子状態の存在は、特定の電子的相互作用を強化または抑制し、吸着システムの全体的な電子挙動を変更することができます。
要約すると、基質は、さまざまな化学的、物理的、電子効果を導入することにより、電子的相互作用に影響を与える上で重要な役割を果たします。基板の特性を理解し、制御することは、触媒、エレクトロニクス、スピントロニクス、エネルギー関連の技術を含むさまざまな用途向けの吸着分子および材料の電子特性を設計および最適化するために重要です。
