半導体は、特定の条件下で電気を伝達できる材料です。半導体の導電率は、材料を伸ばしたり圧縮したりする力である株の影響を受ける可能性があります。たとえば、シリコンウェーハが伸びると、その導電率が増加します。
この効果は、電気の流れを制御するために使用できるため、半導体デバイスにとって重要です。半導体にひずみを適用することにより、電気信号を運ぶことができる高い導電率のチャネルを作成することができます。
新しいSIPLメソッドは、光を使用して半導体のひずみを測定します。半導体に光が輝くと、電子を励起し、光子を放出することがあります。放出された光子のエネルギーは、半導体のひずみに依存します。光子のエネルギーを測定することにより、ひずみの量を決定することができます。
SIPLメソッドは非常に敏感で、非常に小さなレベルまでの緊張を測定できます。これにより、非常に詳細なレベルで半導体デバイスに対するひずみの影響を研究することができます。これにより、これらのデバイスのパフォーマンスが改善される可能性があります。
新しいSIPLメソッドは、他の材料の研究にも使用できます。たとえば、SIPLを使用して、株が金属やセラミックの特性にどのように影響するかを研究することができます。これにより、材料の機械的特性に関する新しい洞察につながる可能性があります。
新しいSIPLメソッドの開発は、半導体研究の分野における重要なブレークスルーです。この方法は、半導体デバイスのパフォーマンスの改善と、材料の特性に関する新しい洞察につながる可能性があります。
