固有の特性：
* バンドギャップエネルギー（例）： これは、価数帯と伝導帯のエネルギーの違いです。電子を価数帯域から伝導帯に励起するために必要な最小エネルギーを決定し、半導体の電気伝導率に影響します。
* 有効質量（M*）： これは、格子との相互作用の影響を受ける結晶格子の電子または穴の質量を表しています。材料内の電荷キャリアの可動性に影響します。
* 誘電率（ε）： これは、半導体が電気エネルギーを蓄積する能力を説明しています。半導体デバイスの静電容量に影響します。
* 電子移動度（μn）： これは、電界の影響下で電子が材料を簡単に移動できることを表しています。
* ホールモビリティ（μp）： これは、電界の影響下で材料を簡単に移動できることを表しています。
外因性特性：
* ドーピング濃度（nd、na）： これは、半導体に加えられた不純物原子の濃度を指し、その導電率を変化させます。
* キャリア濃度（n、p）： これは、半導体の遊離電子と穴の濃度を指します。ドーピングと温度の影響を受けます。
その他の重要な特性：
* 屈折率（n）： これは、半導体を通過する光の曲げを説明し、光学アプリケーションにとって重要です。
* 熱伝導率（k）： これは、材料の熱伝達能力を説明しています。半導体デバイスでの熱散逸を管理するために重要です。
半導体の特定の材料定数は、その組成、結晶構造、およびドーピングレベルに依存します。
例： シリコン（SI）は、1.12 eVのバンドギャップエネルギー、1350cm²/vsの電子移動度、誘電率11.8です。
これらの材料定数を理解することは、半導体デバイスを設計および分析するために重要です。
