共有結合バンドは、半導体と絶縁体によく見られます。半導体では、共有結合バンドは部分的に電子で満たされているため、電界の影響下で自由に移動できるようになり、材料が電気を伝達できるようになります。絶縁体では、共有結合バンドが完全に満たされており、それと次の高エネルギーバンド（伝導帯）の間にエネルギーのギャップがあります。このエネルギーのギャップにより、電子が自由に移動し、非局在化するのを防ぎ、絶縁体が電気の導体を貧しくすることを防ぎます。
共有バンドモデルは、電気伝導率、バンドギャップエネルギー、光学特性など、材料のさまざまな特性を理解するために使用されます。結晶内の電子と原子の間の複雑な相互作用の簡素化された表現を提供し、異なる材料の観察された挙動を説明するのに役立ちます。
