ゲルマニウムの場合、その固有の特性のため、膝電圧は約0.3 Vです。ゲルマニウムはシリコンよりも大きなバンドギャップエネルギーを持っています。つまり、原子価帯から伝導帯に電子を励起するには、より多くのエネルギーが必要です。これにより、実質的な電流が発生する前に、ダイオード全体でより高い順方向電圧降下が発生します。
膝の電圧は、ダイオードが導通を開始するしきい値電圧を決定するため、ダイオード回路の重要なパラメーターです。また、トランジスタ、整流器、太陽電池など、さまざまな半導体デバイスの設計と動作における重要な要素でもあります。
