1。部分的に満たされたd軌道： 遷移金属には、部分的にD軌道が満たされています。これらの軌道は、伝導帯（電子が自由に移動して電気を導入できるエネルギーレベルの帯域）に比較的エネルギーがあります。
2。オーバーラップと非局在化： D軌道は互いに重複し、S軌道と重複し、非局在電子の広い帯域を形成します。これは、電子が個々の原子にしっかりと結合していないが、金属格子全体で自由に移動できることを意味します。
3。電子の可動性： 電界が適用されると、これらの非局在電子は金属を簡単に移動し、電流を運ぶことができます。この高い電子移動度は、遷移金属の高い導電率に寄与します。
4。金属結合： 遷移金属の強力な金属結合は、これらの非局在電子の共有から生じます。この強い結合は、電子の動きを促進することにより、さらに高い導電率に寄与します。
要約： 部分的に満たされたD軌道、オーバーラップおよび非局在化された電子、および強力な金属結合により、遷移金属は電気の優れた導体になります。
注： 遷移金属の導電率は、温度、不純物、特定の金属などの要因によって異なります。しかし、一般的に、それらは良好な導体と見なされます。
