* 電気陰性の差： シリコン（SI）と臭素（BR）は、電気陰性度の違いが比較的小さくなっています。 シリコンの電気陰性度は1.9で、臭素の電気陰性度は2.96です。この違いは、結合内に重要なイオン特性を作成するほど大きくありません。
* 結合形成： シリコンと臭素の間の結合は、共有結合の特徴である電子の共有によって形成されます。
* 物理的特性： テトラブロモイドシリコンは、室温の液体であり、共有化合物の典型です。一方、イオン化合物は、融点が高い固体である傾向があります。
要約すると、シリコンと臭素の間の電子の共有、小さな電気陰性度の違い、およびsibrの液体状態はすべて、その共有性を指します。
