電子構成：
* ベリリウム（be）： 1S²2S²
* boron（b）： 1S²2S²2p¹
重要な要因：
1。電子構成： ホウ素は2p軌道に電子を持ち、ベリリウムには2S軌道が満たされています。 2p軌道は、2S軌道よりもエネルギーが高くなります。
2。シールド： ホウ素の2p電子は、ベリリウムの2S電子と比較して、内側の電子からの効果的な核電荷（シールド）を経験します。これは、2p電子が核から遠く離れており、内側の電子によって効果的にシールドされていないためです。
3。浸透： 2S電子は浸透効果が高いため、核の近くでより多くの時間を費やすことを意味します。これにより、それらは核にしっかりと結合し、除去が難しくなります。
要約：
*ホウ素の2p電子は、エネルギーレベルが高く、シールドが弱く、浸透度が低いため、ベリリウムの2S電子よりも除去が容易です。
したがって、ホウ素はベリリウムよりもイオン化エネルギーが低い。
