1。 D軌道の役割：
* aufbau原則： この原則は、電子がエネルギーレベルを上げる順に軌道を埋めることを示しています。 CuとAGの場合、この原則によれば、4S軌道はそれぞれ3D軌道と4D軌道の前に埋める必要があります。
* 現実： 実際には、CuおよびAgの3Dおよび4D軌道は完全に満たされています（それぞれ10電子があります）。 これは、電子電子反発と交換エネルギーのために、完全に満たされたまたは半分充填されたD軌道が特に安定しているためです。
2。安定係数：
* Exchange Energy： 縮退した軌道で同じスピンを持つ電子は、システムの全体的なエネルギーを低下させる位置を交換できます。この効果は、完全に満たされたまたは半分充填された軌道で最大化されます。
* 電子電子反発： D軌道が完全に満たされると、電子は軌道全体に均等に分布し、反発を最小限に抑えます。
* 効果的な核電荷： 充填されたD軌道は、外側の4S電子のより良いシールド効果を提供し、これらの原子価電子が経験する有効な核電荷が低くなります。
3。銅（Cu）の場合：
* 構成： [ar]3d¹⁰4s¹（[ar]3d⁹4s²の代わりに）
* 説明： 1つの電子を4S軌道から3D軌道に移動することにより、銅は完全に満たされた3Dシェルを実現します。
4。銀（AG）の場合：
* 構成： [kr]4d¹⁰5s¹（[kr]4d⁹5s²の代わりに）
* 説明： 銅と同様に、シルバーは1つの電子を5S軌道から4D軌道に移動させることにより、より安定した構成を実現し、完全に満たされた4Dシェルになります。
要約： CuおよびAgの「異常な」電子構成は、完全に満たされたD軌道に関連する安定性の増加により、Aufbau原理によって予測されるものよりも実際には安定しています。この安定性は、交換エネルギー、電子電子反発、効果的な核電荷などの要因から生じます。
