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電荷Qは、自由空間で速度Vで移動しています。

自由空間での移動電荷によって生成される磁場は、Biot-Savart法則を使用して計算できます。これが故障です:

移動ポイント料金のBiot-Savart Law

磁場 b 点で r 速度 v で移動する電荷 * q *のため によって与えられます:

`` `

b(r) =(μ₀ /4π) *(q * v × ) /r²

`` `

どこ:

* μ₀ 自由空間の透過性(約4πx10⁻⁷T⋅m/a)です

* 電荷の位置からポイント r を指すユニットベクトルです フィールドを計算している場合。

* r 電荷とポイントの間の距離 r

* × クロス製品を示します。

説明:

* 方向: 磁場 b 両方の速度ベクトル v に垂直です 充電から観測点を指すベクトル r 。これは、クロス製品の直接的な結果です。

* 大きさ: 磁場の強度は、電荷からの距離の平方に反比例します。

* 速度依存性: 磁場は、電荷の速度に直接比例します。固定電荷は磁場を生成しません。

重要な考慮事項:

*この式は、自由空間を移動する単一ポイント電荷に適用されます。

*複数の料金がある場合、または料金が複雑な方法で移動している場合は、Biot-Savartの法則を個々の料金に適用し、結果のフィールドを重ねて総磁場を見つける必要があります。

例:

x軸に沿って速度 * v *で移動する電荷 * q *があるとしましょう。 y軸の電荷の真上の点で、電荷からの距離 * d *で磁場を見つけたいです。

1。 r: ベクトル r 充電から観測点までのポイント、 r =(0、d、0)。

2。 r̂: ユニットベクトル r です / | r |、(0、1、0)です。

3。 v: 速度ベクトルは v です =(v、0、0)。

4。 v×r̂: クロス製品は(0、0、v)です。

ここで、これらの値をBiot-Savart Lawに差し込みます。

b =(μ₀ /4π) *(q *(0、0、v) /d²)=(μ₀qv /4πd²) *(0、0、1)

磁場は、速度と位置ベクトルの両方に垂直な正のz方向を指します。

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