温度が逆飽和電流にどのように影響するかの説明は次のとおりです。
1。マイノリティキャリアの増加： 温度が上昇すると、半導体材料に提供される熱エネルギーが増加します。これにより、より多くの電子が価数帯域から伝導帯にジャンプするのに十分なエネルギーを獲得し、電子穴のペアを作成します。これらのマイノリティキャリア（P型領域の電子とN型領域の穴）は、逆飽和電流に寄与します。
2。拡散拡散： また、熱エネルギーが高いほど、少数キャリアの可動性が向上します。これは、少数キャリアが枯渇地域全体でより簡単に拡散し、逆飽和電流にさらに寄与する可能性があることを意味します。
3。バンドギャップの減少： 温度が上昇すると、半導体材料のエネルギーバンドギャップが減少します。これにより、電子が接合部を通過して反対側の領域に入りやすくなり、逆飽和電流が増加します。
iₛ間の指数関係 次の方程式を使用して、温度を数学的に表現できます。
iₛ（t）=iₛ（t₀） *（t/t₀）^（n）
どこ：
- iₛ（t） 温度 t の逆飽和電流です 。
- iₛ（t₀） 参照温度での逆飽和電流t₀ 。
- n 半導体材料に依存する経験的定数です。通常、2〜3の間の値があります。
温度が上昇すると、iₛ（t） 指数関数的に増加し、ダイオードを介してより高い逆電流をもたらします。この効果は、より高い温度でより顕著になります。
要約すると、ダイオードの逆飽和電流は一定ではなく、温度とともに増加します。この温度依存性は、iₛ間の指数関数によって支配されています と温度。
