1。分子形状：VSEPR理論は、電子ペア間の反発力を考慮することにより、分子内の原子の3次元配置を予測します。中心原子の周りの電子ペアの配置に基づいて、線形、三角平面、四面体、八面体、八面体などの分子形状を決定します。
2。電子ペア反発：VSEPR理論の基本的な前提は、分子の電子ペアが互いに撃退する傾向があるということです。電子ペアが互いに可能な限り遠く離れようとするため、この反発は分子形状に影響を与えます。
3。立体数：分子内の中央原子の立体数は、結合ペアと孤立ペアの両方を含む、周囲の電子ペアの総数を指します。立体数は、中央原子の周りの電子ペアのジオメトリを決定します。
4。電子ペアジオメトリ：電子ペアジオメトリは、結合または孤立ペアであるかどうかに関係なく、中央原子の周りの電子ペアの空間配置を表します。 VSEPR理論は、八面体、四面体、三角錐体、曲がったなどの電子ペアの幾何学を予測します。
5。結合角度予測：電子ペアのジオメトリと立体数を考慮することにより、VSEPR理論は分子の原子間の結合角を予測できます。最適な結合角度は、電子ペアの反発を最小限に抑えることに起因します。
6。分子形状：分子形状は、電子ペアの形状と原子の位置の両方を考慮した分子の全体的な3次元構造です。 VSEPR理論は、原子とその結合の空間的配置に関する情報を提供し、分子形状を視覚化できるようにします。
7。極性：VSEPR理論は、極性結合の配置と孤立ペアの存在に基づいて分子極性を決定するのに役立ちます。分子が極性か非極性かを予測します。
VSEPR理論の原理を理解することにより、化学者は、分子に存在する原子価電子ペアの数とタイプに基づいて、分子ジオメトリ、電子ペアの配置、結合角、および分子の全体的な形状を予測できます。
