移動度は、電界強度に対する単位ドリフト速度あたりの値として定義されます。移動度の紹介として、特定の粒子に関する移動度は固体であると言えます。また、異なる温度によって変化する可能性もあります。
電子の移動性を理解する
Vd をドリフト速度、E を導体に印加される電界とすると、移動度「μ」は次のように表されます。
モビリティ =ドリフト速度 * 電場
μ=VdE
ドリフト速度に影響する要因:
ドリフト速度の主な要因 依存しています:
- 気温: 温度が上昇すると、材料の原子が高速で振動し始めます。したがって、関連する電子の移動が増加します。したがって、導体の温度が上昇すると、ドリフト速度が増加します。
- 潜在的な違い: 導体の断面にかかる電位差により、導体を流れる電流が増加します。この電流の増加により、電子は急速に振動します。したがって、電位差が増加すると、電子のドリフト速度が増加します。
- エリア: 電子がカバーする必要のある面積が増えると、電子のエネルギーが減少します。電子は最短距離を通過することを好み、これは導体の断面積の増加に伴い大幅に増加します。したがって、導体の断面積が増加すると、導体のドリフト速度が低下します。したがって、導体の面積とそのドリフト速度は互いに反比例します。
ドリフト速度の計算式は次のとおりです:
しましょう ' I’ は、導電性材料を通過するアンペア単位の電荷です。
「n」は荷電粒子または電子の総数です。
「A」は材料の断面積、
「vd」は、材料内の荷電粒子のドリフト速度です。
「Q」はクーロン単位の電子電荷です。
次に、
I=nAv 日 Q
モビリティの次元式
モビリティの次元式は、物理用語に関する表現を定義しています。可動性の次元式のベースは、適切な次元と適切で比例した関係にあります。たとえば、次元力は F=[MLT-2] です。移動度の次元式を測定するには、ドリフト速度の次元式を電場の次元式で割る必要があることが研究から観察されています。移動度は、主に導体を通過する電子の速度の測定値です。したがって、移動度の次元式は [M1 L2 T-4I1] です
モビリティの次元式の導出
モビリティ =ドリフト速度 * 電場
ドリフト速度の次元式は速度と同じになります。
したがって、=[M0 L1 T-1]
と等しくなります。電界 =ForceCharge
力の次元式 =[M1 L1 T-2] および
電荷の次元式 =[M0 Lo I1 T1]
電界の次元式 =[M1 L1 T-2] [M0 Lo I1 T1]
電界の次元式 =[M1 L1 T-3I1]
モビリティの次元式 =ドリフト速度 * 電場
モビリティの次元式 =[M0 L1 T-1] * [M1 L1 T-3I1]
可動性の次元式= [M1 L2 T-4I1]
結論
したがって、移動度は主に単位あたりのドリフトの値であり、導体内の電子の測定値でもあると結論付けることができます。この記事では、ドリフト速度の基本、ドリフト速度を計算するための簡単な式、および電子の移動度についての簡単な理解を提供しました。これは、荷電粒子または電子の平均速度です。この速度と電流の間の確立された関係は、さらに電流密度に関連付けるのに役立ちます。
