* 電気陰性の差： マグネシウム（Mg）は電気陰性度が低い金属であり、フッ素（F）は電気陰性度が高い非金属です。それらの間の大きな電気陰性度の差（Fの場合は3.98、Mgで1.31）は、マグネシウムからフッ素への電子の移動につながります。
* イオンの形成： マグネシウムは2つの電子を失い、正の帯電イオン（mg²⁺）になり、各フッ素原子は1つの電子を獲得して負に帯電したイオン（F⁻）になります。
* 静電引力： 反対に帯電したイオンは、静電力を通して互いに引き付けられ、イオン結合を形成します。
したがって、Mgf₂は、強力なイオン結合によって結合されたmg²⁺およびf⁻イオンの格子として存在します。
